用于增强可靠性的JBS碳化硅二极管器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202122164536.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216528860U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216528860U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 101300北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于增强可靠性的JBS碳化硅二极管器件结构,包括碳化硅衬底、多层外延层、正面电极、势垒层、N型硅原子层、P型扩散区、P型分压环、N型截止环、复合终端钝化层、欧姆接触层以及背面电极；形成具有隔离缓冲层的双层碳化硅外延层，减少了碳化硅衬底的缺陷，有助于提高产品的良品率和可靠性；且通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，有助于减少器件边缘漏电量大的情况发生；通过N型硅原子层，使得N型硅原子层与金属形成硅基势垒合金层，避免了碳化硅合金层带来的高势垒，降低正向导通时的势垒高度，使得JBS碳化硅二极管的正向开启电压VF大幅度降低，降低了二极管的开通损耗，提高了系统可靠性。 |
