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基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备

基本信息

申请号	CN202210081722.9	申请日	-
公开（公告）号	CN114465458A	公开（公告）日	2022-05-10
申请公布号	CN114465458A	申请公布日	2022-05-10
分类号	H02M1/088（2006.01）I;H02M1/44（2007.01）I	分类	发电、变电或配电;
发明人	雷彦;陈普选	申请（专利权）人	北京绿能芯创电子科技有限公司
代理机构	上海段和段律师事务所	代理人	-
地址	101300北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备，包括：栅极驱动器，多个GaNMOS管、多个第一铁氧体磁珠以及多个第二铁氧体磁珠；每个所述GaNMOS管的漏极均连接VCC，每个所述GaNMOS管的源极均连接GND，每个所述GaNMOS管的栅极均串联有一个第一铁氧体磁珠，每个所述第一铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的GDA端口，每个所述GaNMOS管的开尔文源极均串联有一个第二铁氧体磁珠，每个所述第二铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的SSA端口。本发明用体积较小的铁氧体磁珠作为高频抑制器、器件PCB对称布局、PCB功率回路和驱动回路分离、单点接地应用达到抑制栅极驱动回路振荡、抑制共模干扰的目的。