一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110724518.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436981A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436981A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王永恒;马祖光;顾在意;李学;陈静;保爱林 | 申请（专利权）人 | 山东宝乘电子有限公司 |
| 代理机构 | 绍兴市知衡专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓爱民 |
| 地址 | 256300山东省淄博市高青县田镇街道黄河路221号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法，是在常用锡膏内添加了高熔点的金属球，配置成定制焊锡膏，并将该焊锡膏点在MOSFET晶圆片的每个栅极金属化区域，通过烧结形成焊球凸点，然后进行晶圆片的切割，使得每个MOSFET芯片单元的栅极预先形成了具有支撑能力的焊球凸点。由于此时所形成的焊球凸点不会受到铜片的施压，焊球凸点中的焊锡熔融后仅收缩于金属球表面而不会横向扩展，因此点在栅极上的焊锡膏量的控制及位置控制要求远没有在封装过程中严苛，所形成的焊球凸点在后续封装制程中可以直接与铜片进行钎焊，为取代功率MOSFET器件封装时采用的引线键合技术奠定了基础，降低了钎焊工艺的实施难度。 |
