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一种功率MOSFET的钎焊互连结构

基本信息

申请号 CN202121452757.6 申请日 -
公开（公告）号 CN214753733U 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN214753733U 申请公布日 2021-11-16
分类号 H01L23/488（2006.01）I;H01L23/492（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王永恒;马祖光;顾在意;李学;陈静 申请（专利权）人 山东宝乘电子有限公司
代理机构 绍兴市知衡专利代理事务所（普通合伙） 代理人 邓爱民
地址 256300山东省淄博市高青县田镇街道黄河路221号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种功率MOSFET的钎焊互连结构，包括MOSFET芯片，MOSFET芯片的源极和门极在同一面，MOSFET芯片的漏极在源极的相对面上，其特征在于：漏极通过焊料与漏极电极板钎焊连接，源极通过焊料与源极铜片的一端钎焊连接，源极铜片的另一端通过焊料与源极引出端子钎焊连接；门极通过焊料与门极铜片的一端钎焊连接，门极铜片的另一端通过焊料与门极引出端子钎焊连接，门极与门极铜片连接点的焊料内混有焊锡包覆球，焊锡包覆球将门极和门极铜片之间支撑起间隔空间，焊锡包覆球的内部为芯材，芯材外部包覆一层焊锡，芯材的直径小于门极宽度。本实用新型具有封装效率高、导通电阻低、可避免焊接短路的优点。