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一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片

基本信息

申请号 CN201910615146.X 申请日 -
公开（公告）号 CN110335811B 公开（公告）日 2021-08-10
申请公布号 CN110335811B 申请公布日 2021-08-10
分类号 H01L21/02 分类 基本电气元件;
发明人 王永恒;顾在意;王卿璞;任丕尧 申请（专利权）人 山东宝乘电子有限公司
代理机构 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 代理人 郝团代
地址 256300 山东省淄博市高青县田镇街道黄河路221号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体芯片钝化技术领域，具体涉及一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片。本发明提供的一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法，原料硅醚和氧气在常压、低温条件下于反应室内发生化学气相沉积反应，氮气作为携带气体和稀释气体，通过调节氧气与硅醚的摩尔比例，在一定反应条件下将反应产物硅、一氧化硅、二氧化硅的混合物以薄膜的形态沉积于放置在反应室中的晶圆上。该沉积方法可在常压、低温条件下将硅、一氧化硅、二氧化硅多晶钝化膜沉积于晶圆上，无需特气设备及真空设备，方法简单、成本低。