IGBT功率器件
基本信息
| 申请号 | CN202110483258.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270374A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113270374A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L23/043（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田永革;刘杰 | 申请（专利权）人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张全文 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种IGBT功率器件，包括：壳体；至少两块陶瓷覆铜板，相邻的其中一块陶瓷覆铜板上设有第一焊接区域，另一块陶瓷覆铜板上设有第二焊接区域；至少两个芯片，每块陶瓷覆铜板上至少安装有一个芯片，芯片电性连接至对应的焊接区域；以及，多个大小相同的条状连接片，每个第一焊接区域与相应的第二焊接区域之间连接有至少一个条状连接片，其中一个第一焊接区域对应的条状连接片与相邻的另一个第一焊接区域对应的条状连接片平行设置，并且凸拱状的过渡段朝向远离陶瓷覆铜板的方向凸出。应用本技术方案解决了现有技术的IGBT功率器件的主回路的电感影响严重，影响了IGBT功率器件的工作效率的问题。 |
