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耗尽型晶体管的驱动电路

基本信息

申请号	CN202010244330.0	申请日	-
公开（公告）号	CN111478564B	公开（公告）日	2021-09-03
申请公布号	CN111478564B	申请公布日	2021-09-03
分类号	H02M1/088	分类	发电、变电或配电;
发明人	张益鸣;刘杰	申请（专利权）人	深圳芯能半导体技术有限公司
代理机构	深圳众鼎专利商标代理事务所（普通合伙）	代理人	张美君
地址	518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道南约社区华丰数码科技园八栋二楼
法律状态	-

摘要

本发明公开一种耗尽型晶体管的驱动电路。该电路包括低压MOS管，低压MOS管的漏极与耗尽型晶体管的源极相连，低压MOS管的源极接地，还包括直接驱动电路和间接锁定电路；间接锁定电路与供电端和低压MOS管的栅极相连，用于驱动低压MOS管开启，在耗尽型晶体管初次开启后锁定低压MOS管处于常开状态，在耗尽型晶体管暂时关闭后驱动低压MOS管关闭，锁定耗尽型晶体管处于关闭状态；直接驱动电路与供电端、耗尽型晶体管的栅极和低压MOS管的源极相连，用于在低压MOS管处于常开状态时，直接驱动耗尽型晶体管的开启或关闭。该电路可以通过低压MOS管进行一次开启和关闭，以使直接驱动电路可以直接驱动耗尽型晶体管开启或关闭，避免低压MOS管的开关速度有限所存在的问题。