IGBT功率器件的封装工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110483268.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270328A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113270328A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L21/52（2006.01）I;H01L23/043（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田永革;刘杰 | 申请（专利权）人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张全文 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种IGBT功率器件的封装工艺。具体地，该IGBT功率器件的封装工艺包括以下步骤：步骤S10：将多个焊接段焊接端正对于对应的各个焊接区域进行放置；步骤S20：将多个条状连接片的两端分别正对于第一焊接区域和第二焊接区域的相应位置进行放置；步骤S30：通过超声波焊接设备将全部焊接段焊接端与全部条状连接片的焊接端一次性地焊接固定在陶瓷覆铜板的相应位置上。应用本发明提供的IGBT功率器件的封装工艺解决了应用现有设计的封装工艺装配生产IGBT功率器件的生产效率低，无法满足批量生产需求的问题。 |
