一种超低方阻及低反射率导电膜及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110344692.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113096852A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113096852A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程武;郑建万;黄永祥;董剑;程志敏;师长明 | 申请（专利权）人 | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 代理机构 | 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人 | 成钢 |
| 地址 | 443000湖北省宜昌市自贸区宜昌片区发展大道57-5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种超低方阻及低反射率导电膜，该导电膜具体结构包括由下至上设置的基材层、有机硅预涂层、无机物层、导电功能层、黑化层和保护层；其中无机物层为硅或者氧化物，导电功能层为铜或者铜合金层；黑化层为铜或者铜合金的氧化物、碳化物或氮化物；保护层为纳米级氧化物。本发明公开的导电膜可实现方阻低于0.1Ω/□，波长550nm时表面反射率低于15%，且导电层对于基材的附着力达到JIS K 5600标准≥4B。该产品可以应用在超大尺寸触控产品上，同时具有好的消影效果。 |
