一种LED外延片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410738294.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105720154B | 公开（公告）日 | 2018-11-02 |
| 申请公布号 | CN105720154B | 申请公布日 | 2018-11-02 |
| 分类号 | H01L33/14;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘治;袁述 | 申请（专利权）人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 528251 广东省佛山市南海区平洲永安北路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种LED外延片及其制造方法，该方法包括以下步骤：在纯氮气或第一混合气氛下生长第一电子溢出阻挡层，在纯氢气或第二混合气氛下生长第二电子溢出阻挡层，所述第一混合气氛和第二混合气氛均包含氮气和氢气，所述第一混合气氛中的氮气的比例高于氢气的比例，所述第二混合气氛中的氢气的比例高于氮气的比例。本发明中的LED外延片包括两个在不同气氛下生长得到的电子溢出阻挡层，能够在保证Mg掺杂浓度的基础上，有效地提高电子溢出阻挡层的空穴浓度，填补V型缺陷，避免电子溢流，并降低了Mg掺杂的GaN层的厚度，从而大幅提升了LED外延片的发光效率。 |
