一种半导体发光器件制作的方法及半导体发光器件
基本信息
| 申请号 | CN201611230364.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106816508B | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN106816508B | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | H01L33/22;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘硕;刘治;万小承 | 申请（专利权）人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 528000 广东省佛山市南海区平洲金谷光电社区A座一、二楼厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种半导体发光器件制作的方法，包括如下步骤：在衬底上生产缓冲层和第一半导体层；在第一半导体层上制作周期性图案，并将周期性图案转移到衬底表面，在衬底表面获取表面改性区域；去除缓冲层和第一半导体层；在衬底上重新生长第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明还公开一种半导体发光器件，包括：衬底，以及衬底表面具有改性区域，以及依次在衬底结构上生长出的第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明通过外延工艺将部分半导体层区域改性处理，获得表面粗化的LED外延片的同时，且不会增加LED芯片的工作电压，提高了LED芯片的发光效率。 |
