一种LED芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510010137.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105826444B | 公开（公告）日 | 2018-06-26 |
| 申请公布号 | CN105826444B | 申请公布日 | 2018-06-26 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘英策;胡红坡;刘治 | 申请（专利权）人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 528200 广东省佛山市南海区平洲金谷光电社区A座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种LED芯片及其制造方法，该LED芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、电流扩散导电层、P电极和N电极，与所述P电极接触的电流扩散导电层采用孔洞结构，所述电流扩散导电层的孔洞的大于P电极的尺寸。电流扩散导电层的孔洞比P电极的尺寸大3～8um，P电极具有Finger结构，且Finger结构与所述LED芯片中的氧化铟锡接触。本发明中的LED芯片能够增强边缘的电流扩散导电层与电极之间的结合力，降低边缘的电流扩散导电层和电极之间的脱落风险。 |
