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金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201210349636.8 申请日 -
公开（公告）号 CN103682021B 公开（公告）日 2016-12-07
申请公布号 CN103682021B 申请公布日 2016-12-07
分类号 H01L33/38(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周圣军;王书方 申请（专利权）人 广东量晶光电科技有限公司
代理机构 北京瑞恒信达知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 广东量晶光电科技有限公司
地址 528251 广东省佛山市南海区平洲永安北路1号金谷光电社区
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，且第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开。本申请还提供了相应的发光二极管制作方法。本发明能够明显改善发光二极管芯片在制造过程中有源区面积大幅减小的情况，可以有效的提高发光二极管的光功率。