一种倒装LED芯片结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410425677.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105449069B | 公开（公告）日 | 2018-06-29 |
| 申请公布号 | CN105449069B | 申请公布日 | 2018-06-29 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/62 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘英策;胡红坡 | 申请（专利权）人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 528251 广东省佛山市南海区平洲金谷光电社区A座一、二楼厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种倒装LED芯片结构及其制作方法，其中该方法包括：步骤1，依次布置衬底、缓冲层、N型层、发光层和P型欧姆接触层；步骤2，通过刻蚀形成芯片隔离区；步骤3，在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；步骤4，在P型欧姆接触层之上形成扩散反射层，在隔离区、N型电极形成区、扩散发射层之上形成绝缘介质膜层；步骤5、对N型电极型成区、扩散反射层之上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；步骤6、制作形成P型电极和N型电极，焊接于PCB板上。 |
