深紫外发光二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011283746.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112510126A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112510126A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范伟宏;薛脱;李东昇;张晓平;马新刚;高默然;赵进超 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种深紫外发光二极管及其制造方法，深紫外发光二极管包括外延层，外延层包括第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，其中，外延层中包括第一台阶，第一台阶的一个台阶面为第二半导体层的表面，第一台阶的侧壁为多量子阱层和第二半导体层的侧壁，第一台阶的另一个台阶面为第一半导体层的表面；第一欧姆接触层，与第一半导体层接触；第二欧姆接触层，与第二半导体层接触。本申请通过在深紫外发光二极管的的外延层中形成阵列分布的第一台阶，并在第一台阶的侧壁形成粗化表面，增加深紫外发光二极管的侧壁面积比例，从而提高深紫外发光二极管的光提取效率。 |
