半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202110529996.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113284947A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113284947A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李东昇;贾利芳;肖金平;逯永建 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘畅 |
| 地址 | 310012浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管，其中所述半导体晶体管外延结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、复合势垒层以及P型层，其中，所述复合势垒层包括依次层叠的第一势垒层和第二势垒层，且所述第二势垒层的Al组分含量低于所述第一势垒层的Al组分含量。即本发明提供的半导体晶体管外延结构中含有复合势垒层，能够保证晶体质量的同时，可以加强沟道二维电子气的量子限制，减小电子遂穿几率，从而更有效地缓解电流崩塌和栅极漏电流，提升晶体管器件性能。 |
