发光二极管
基本信息
| 申请号 | 2020211291995 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212434645U | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN212434645U | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张学双;马拥军 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李镇江 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种发光二极管，包括：透明衬底；依次位于透明衬底第一表面的第一外延层、有源层、第二外延层，第一外延层与第二外延层的掺杂类型不同；电流扩展层位于第二外延层表面，电流扩展层为台阶状；第一电极，与第一外延层部分接触；第二电极，位于电流扩展层表面，靠近第二电极的电流扩展层的厚度大于靠近第一电极的电流扩展层的厚度。本申请在第二电极与第二外延层之间设置了加厚的电流扩展层，提升了芯片表面的电流分布均匀性，从而避免芯片局部电流集中导致的芯片局部过热、性能降低等问题。 |
