LED芯片和高压LED芯片
基本信息
| 申请号 | 202021007519X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212434644U | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN212434644U | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱伟 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种LED芯片和高压LED芯片，该LED芯片包括单个LED芯片单元，该高压LED芯片包括多个LED芯片单元，该LED芯片单元依次包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流扩展层、绝缘层，其中，该绝缘层具有暴露电流扩展层的一系列第一通孔。本实用新型的LED芯片和高压LED芯片通过在单层绝缘层上设置一系列暴露电流扩展层的第一通孔实现正电极到电流扩展层的高效电流扩展效果，优化了电极与电流扩展层的接触位置分布，提高供电效率及发光效果。单层绝缘层的设计在降低成本的同时保障了芯片的良率。 |
