一种高速垂直腔面发射激光器的外延结构
基本信息
| 申请号 | CN202111223739.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113675726A | 公开（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申请公布号 | CN113675726A | 申请公布日 | 2021-11-19 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鄢静舟;薛婷;杨奕;糜东林 | 申请（专利权）人 | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君有知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 焦丽雅 |
| 地址 | 362100福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于新型半导体激光器技术领域，提出一种高速垂直腔面发射激光器的外延结构，包括衬底（1）；在所述衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层（2）、第一分布式布拉格反射层（3）、谐振腔（4）、第二分布式布拉格反射层（6）和欧姆接触层（7）；所述外延结构还包括半绝缘层（5）；所述半绝缘层（5）为GaAs层或AlxGa1‑xAs层或InP层。本发明用二次外延再生长的半绝缘层代替氧化孔径，可以改善VCSEL的热特性，有利于实现室温下芯片的连续发射，具有优异的电学限制作用，采用低折射率的半绝缘材料可以同时实现良好的光学限制；同时采用半绝缘层掩埋有源区结构可以减小寄生电容，有助于带宽和高速调制。 |
