一种VCSEL芯片氧化实时监控方法及设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种VCSEL芯片氧化实时监控方法及设备

基本信息

申请号	CN202110654563.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113314951B	公开（公告）日	2021-11-23
申请公布号	CN113314951B	申请公布日	2021-11-23
分类号	H01S5/183（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	鄢静舟;王坤;杨奕;糜东林	申请（专利权）人	福建慧芯激光科技有限公司
代理机构	泉州市博一专利事务所（普通合伙）	代理人	方传榜;苏秋桂
地址	362100福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种VCSEL芯片氧化实时监控方法及设备，该方法包括如下步骤：先在待氧化的外延片顶部沉积p型接触金属电极，然后将外延片划分为监控区和目标芯片区，分别蚀刻出监控氧化台面和目标氧化台面；将外延片放入氧化室中，监控区的p型接触金属电极和衬底背面连接于电容表；开启氧化制程，通过电容表实时采集监控氧化台面在不同氧化时间内的电容‑电压曲线，并获取氧化前的电容Cs、氧化任意时刻的电容Cdep和已氧化部分的电容Csox；实时计算监控氧化台面的已氧化面积A，并进一步求取监控氧化台面的氧化深度D；以氧化深度和氧化时间作为氧化监控参照指标，绘制氧化深度‑氧化时间的曲线关系图，并由此实时控制目标芯片区的氧化深度。