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一种垂直腔面发射激光器的外延结构

基本信息

申请号 CN202120500244.1 申请日 -
公开（公告）号 CN214589685U 公开（公告）日 2021-11-02
申请公布号 CN214589685U 申请公布日 2021-11-02
分类号 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 薛婷 申请（专利权）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理机构 泉州市文华专利代理有限公司 代理人 陈云川
地址 362100福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种垂直腔面发射激光器的外延结构，包括砷化镓衬底，砷化镓衬底上依次沉积有砷化镓缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述有源层由依次设置的限制层、波导层和堆垛层、对称波导层以及对称限制层组成，所述堆垛层包括多个堆垛单元和设置在堆垛单元之间的第一砷化镓层，所述堆垛单元包括依次设置在第二砷化镓层、第一砷化铟镓层、砷化铟量子点层以及第二砷化铟镓层，所述第一砷化镓层的厚度在50至100nm。本实用新型相比于有源区为量子阱的激光器，量子点激光器能获得更低的阈值电流密度,更高的斜率效率、更高的调制速率等优点。