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一种低表面漏电流的探测器及其制作方法

基本信息

申请号 CN202111089548.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113540263A 公开（公告）日 2021-10-22
申请公布号 CN113540263A 申请公布日 2021-10-22
分类号 H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/103（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨奕;缪笛;鄢静舟;薛婷 申请（专利权）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理机构 泉州市文华专利代理有限公司 代理人 陈云川
地址 362100福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种低表面漏电流的探测器，包括InP衬底，在InP衬底上依次生长有通过蚀刻形成的隔离台与P台。所述衬底、隔离台与P台的上表面以及隔离台、P台的侧面依次生长有第一钝化层与第二钝化层。所述隔离台的上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的n型接触金属环，在所述P台上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的p型接触金属环。本发明用复合钝化层（复合钝化层由下至上为半绝缘InP或InAlAs与介质膜钝化层）代替传统介质膜钝化层对探测器进行钝化，减少了钝化层与半导体界面之间的缺陷与界面态，有利于减小器件的漏电流。