一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置
基本信息
| 申请号 | CN202111434043.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122149A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122149A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/786（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 商慧荣;李燕龙;黄洪涛;曹焜;高威;邵贤杰;王志军 | 申请（专利权）人 | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡晓男;吴昊 |
| 地址 | 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置，解决了如何改善薄膜晶体管有源层与电极间的接触电阻的问题。薄膜晶体管包括基板；栅极层设置在基板的一侧；栅极绝缘层设置在栅极层远离基板的一侧；金属氧化物半导体层设置在栅极绝缘层远离栅极层的一侧；电极层设置在金属氧化物半导体层远离栅极绝缘层的一侧；电极层部分设置在金属氧化物半导体层的表面，部分设置在栅极绝缘层的表面；电极层包括源极和漏极，源极和漏极在金属氧化物半导体层的两侧相对设置；非晶金属氧化物层设置在电极层和金属氧化物半导体层之间；第一绝缘层设置在电极层远离非晶金属氧化物层的一侧。 |
