低功耗低温漂与工艺无关的电压检测电路

基本信息

申请号 CN200310122085.2 申请日 -
公开(公告)号 CN100403034C 公开(公告)日 2008-07-16
申请公布号 CN100403034C 申请公布日 2008-07-16
分类号 G01R19/165(2006.01) 分类 测量;测试;
发明人 罗鹏 申请(专利权)人 上海贝岭矽创微电子有限公司
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 上海贝岭股份有限公司;上海贝岭矽创微电子有限公司
地址 200233上海市宜山路810号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种低功耗低温漂与工艺无关的电压检测电路,包括:三路分压电路、由NMOS管N0构成的开关电路、由施密特触发器组成的整形电路;分压电路由PMOS管P0至P3、PMOS管P5至P8和晶体管Q0以及MOS管P9至P12组成;NMOS管N0栅极连接至第一分压电路的PMOS管P2的栅极处,NMOS管N0源极和PNP晶体管Q0发射极连接至第二分压电路的PMOS管的P8的漏极处,NMOS管N0漏极连接至第三分压电路的PMOS管P12的漏极处,PNP晶体管Q0的基极和集电极接地。在第一分压电路的分支上串接了由NMOS管N0构成的电压漂移补偿电路和由PNP管Q1构成的负温度系数补偿电路。由此本发明在温度变化时输出值LVR电压值基本不变,改善了工艺偏差带来的LVR电压漂移,达到了电压检测电路低功耗低温漂且与工艺无关的效果。