利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C?Si负极涂层的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610630926.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106119795A | 公开（公告）日 | 2016-11-16 |
| 申请公布号 | CN106119795A | 申请公布日 | 2016-11-16 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵斌 | 申请（专利权）人 | 深圳市第四能源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区福田街道滨河大道5022号联合广场A座2608室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C?Si负极涂层的方法，该方法是将负极基材安装到极片架上；开启连续式真空磁控溅射镀膜设备，调整设备至可镀膜工艺条件；投入待镀膜基片架?铜箔；离子源等离子轰击剥离铜箔表面氧化层、去除表面尖峰；直流溅镀C?Si膜；加热退火处理；出料后特性检查；本发明通过磁控溅射真空镀膜技术在锂电池负极铜箔上沉积一层C?Si复合负极薄膜，以提高负极电极电性能。 |
