一种改善锂电池正极集电极电性能的方法
基本信息
申请号 | CN201610665447.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106435494A | 公开(公告)日 | 2017-02-22 |
申请公布号 | CN106435494A | 申请公布日 | 2017-02-22 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M4/66(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 赵斌 | 申请(专利权)人 | 深圳市第四能源科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 518000 广东省深圳市福田区福田街道滨河大道5022号联合广场A座2608室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种改善锂电池正极集电极电性能的方法,包括步骤:1)将要处理的铜箔在净化房内裁切,并将裁切后的铜箔固定在基片架上;2)开启连续式真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至可镀膜工艺条件;3)将固定有铜箔的基片架投入所述设备;4)离子源开启,离子源产生等离子体,等离子体内的高能粒子高速轰击铜箔表面,剥离铜箔表面的氧化层打掉,同时对铜箔表面尖峰轰击削平;5)开启直流磁控溅射阴极,阴极产生的等离子体轰击铜靶材,溅射出来的铜离子在电场作用下运动至铜箔表面沉积成铜膜;6)加热退火处理温度为80‑200℃;7)铜箔出料,经检测后真空包装。本发明利用真空磁控溅射镀膜技术,减小电解铜箔粗糙度,提高甚低轮廓铜箔电性能。 |
