低频MEMS矢量传声器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111263128.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114095845A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114095845A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | H04R19/00（2006.01）I;H04R29/00（2006.01）I;G01H11/06（2006.01）I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 魏晓村;刘云飞;周瑜;冯杰 | 申请（专利权）人 | 中国电子科技集团公司第三研究所 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 华枫 |
| 地址 | 100015北京市朝阳区酒仙桥北路乙7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低频MEMS矢量传声器及其制备方法，低频MEMS矢量传声器包括：敏感层、结构层和基底，其中，敏感层包括多组电极和电阻，结构层为细丝结构层且用于支撑敏感层，基底的正面用于支撑结构层，基底的正面形成有内凹的拾音槽，敏感层和结构层的至少部分覆盖于拾音槽的上方，拾音槽的深度为H1，预设低频声场在拾音槽槽壁的边界层厚度为H2，满足：H1＞H2。根据本发明公开的低频MEMS矢量传声器，增加悬空细丝的悬空高度，使其超出基底边界层高度，减少基底边界处切变粘滞效应对声场质点振速影响，提高低频MEMS矢量传声器低频段灵敏度。 |
