偏置电流生成电路
基本信息
| 申请号 | CN202210217383.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114610108A | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN114610108A | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | G05F3/26（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 张维承 | 申请（专利权）人 | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 200135上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号A楼367室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及电子技术领域，公开了一种偏置电流生成电路，具有快速启动、低温漂的特点。该电路包括：第四晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容、第一电阻和第二电阻；第四晶体管的源极、第一电阻的第一端、第三晶体管的栅极和第五晶体管的栅极相耦合；第一电阻的第二端、电容的第一端、第三晶体管的源极和第五晶体管的源极耦合到电压源；第四晶体管的栅极、第三晶体管的漏极、第二晶体管的漏极和电容的第二端相耦合；第四晶体管的漏极、第一晶体管的漏极、第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极相互耦合；第二晶体管的源极耦合到第二电阻的第一端；第一晶体管的源极和第二电阻的第二端耦合到地端。 |
