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具有虚拟填充的精密电阻器结构

基本信息

申请号 CN202011449250.5 申请日 -
公开（公告）号 CN114613562A 公开（公告）日 2022-06-10
申请公布号 CN114613562A 申请公布日 2022-06-10
分类号 H01C7/00（2006.01）I;H01C1/084（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郭朝亮;张泽飞 申请（专利权）人 上海类比半导体技术有限公司
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 200135上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号A楼367室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及集成电路领域，公开了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底中的第一虚拟填充层；设置在半导体衬底表面上的第一介电层，第一介电层中设置有第二虚拟填充层；设置在第一介电层表面上的第二介电层，第二层介电层中设置有电阻体，电阻体两端设置有互连结构；设置在第二介电层表面上的第三介电层，第三介电层中设置有金属互连层，金属互连层分别与两端的互连结构连接。第一虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，第二虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，第一虚拟填充层和第二虚拟填充层相互平行且交替设置。本申请可以提高电阻器的散热和可靠性。