一种低成本高集成度的射频集成电路器件
基本信息
| 申请号 | CN201320196217.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203180861U | 公开（公告）日 | 2013-09-04 |
| 申请公布号 | CN203180861U | 申请公布日 | 2013-09-04 |
| 分类号 | H03H7/38(2006.01)I;H03H1/00(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)N | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 杨国山;陈溅冰 | 申请（专利权）人 | 厦门雷迅科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门龙格专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门市雷迅科电子科技有限公司;厦门雷迅科微电子股份有限公司 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区创业园伟业楼N404室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低成本高集成度的射频集成电路器件，包括相互配合的射频集成电路芯片、输出阻抗匹配电路、封装载体，其中，射频集成电路芯片的输入端接外部射频输入信号，输出端接输出阻抗匹配电路的输入端，输出阻抗匹配电路的输出端接外部电路，封装载体为射频集成电路芯片和输出阻抗匹配电路提供与射频集成电路器件外部电路进行电气连接的引脚，且所述的输出阻抗匹配电路的工作频率范围小于或等于射频集成电路芯片的工作频率范围；采用射频集成电路芯片和输出阻抗匹配电路分开的器件结构，?避免射频集成电路芯片的重复开发，有效缩短产品开发周期，降低产品开发成本。 |
