耐候型微触发可控硅及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201010147488.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101814496A | 公开（公告）日 | 2010-08-25 |
| 申请公布号 | CN101814496A | 申请公布日 | 2010-08-25 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李文广;周远铸 | 申请（专利权）人 | 厦门泰格微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市湖里区火炬高新区创业园创业大厦503室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种耐候型微触发可控硅，该耐候型微触发可控硅为PNP结构，所述PNP结构的一侧P型硅上设有N+发射区和门极电极，在所述N+发射区上设置有阴极电极，所述PNP结构的另一侧P型硅上设置有阳极电极。PNP结构内部设有横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻，并且连接于所述门极电极和阴极电极之间。本发明耐候型微触发可控硅具有根据其所处的外在气候/环境温度、或对其自身工作温度变化进行自适应且适时调整匹配的技术特性，具有抗温度干扰/抗电磁干扰的能力。此外，本发明还公开了一种耐候型微触发可控硅的制造方法。 |
