电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210031235.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114540826A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114540826A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | C25B1/01（2021.01）I;C25B1/50（2021.01）I;C01G15/00（2006.01）I;C04B35/453（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;C04B35/626（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 唐安泰 | 申请（专利权）人 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 412000湖南省株洲市天元区天易科技城自主创业园一期A5栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明所提供了一种电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法，电解法制备高活性氧化铟的方法包括以下步骤：（1）金属铟为阳极，导电基体为阴极，硝酸铵水溶液为电解液进行电解，得到氢氧化铟沉淀；温度控制在25～45℃之间，电流密度为15～20A/dm2，电压为0.35～0.45V；（2）将氢氧化铟沉淀水洗、压滤、干燥，得氢氧化铟；（3）煅烧。ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：1）采用上述方法制备氧化铟；2）将氧化铟及氧化锡混匀，加水球磨，喷雾干燥造粒，得粉料；3）将粉料进行冷等静压成型；4）气氛烧结。本发明先通过优化的制备工艺，制备出高活性氧化铟粉末，再将该高活性氧化铟与氧化锡经混合球磨、造粒成型、气氛烧结可得到高密度ITO靶材。 |
