阵列基板的制备方法和阵列基板
基本信息
| 申请号 | CN202111518178.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220772A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220772A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/84（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李锦 | 申请（专利权）人 | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张娜;臧建明 |
| 地址 | 230037安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层；其中，阻氢层位于金属氧化物半导体层和含氢层之间；在形成阻氢层的步骤中包括：形成金属层；氧化处理部分金属层，保留其余部分金属层；其中，氧化处理的金属层形成阻氢层，保留的至少部分金属层与金属氧化物半导体层相对应，且分别形成金属氧化物薄膜晶体管的栅极层和有源层。阻氢层用于阻挡含氢层中的氢扩散到MO薄膜晶体管的有源层中。因此，本申请实施例提供的阵列基板的制备方法和阵列基板，能够提高金属氧化物薄膜晶体管的可靠性，从而提高阵列基板的可靠性。 |
