过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置
基本信息
| 申请号 | CN202111493350.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114267587A | 公开（公告）日 | 2022-04-01 |
| 申请公布号 | CN114267587A | 申请公布日 | 2022-04-01 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梅运柱;贾马龙;常李阳;张子曰;曹志文;李伟华;李阳 | 申请（专利权）人 | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华进京联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴娜娜 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置，先由第二膜层朝向基板的方向，在第二膜层的表面刻蚀过孔。当刻蚀过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，说明刻蚀过孔的位置到达第一膜层和第二膜层的界面。然后继续刻蚀第一膜层形成过孔。在第二膜层刻蚀过孔时，通过监测过孔产生的生成物的光强变化率能够大致判断过孔的刻蚀位置。通过生成物的光强变化率判断过孔刻蚀的位置可能会有监测延迟带来的误差。由于第一膜层厚度已知，第一膜层的材料材质和密度相对均匀，因此刻蚀第一膜层的速率容易控制。在刻蚀过孔的最后阶段，通过控制刻蚀时间控制过孔在第一膜层的刻蚀的深度，能够提高刻蚀第一过孔的终点位置的精度。 |
