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Cr3+掺杂PZT薄膜在制备铁电薄膜太阳能电池中的应用

基本信息

申请号 CN201510287515.9 申请日 -
公开（公告）号 CN104835880A 公开（公告）日 2015-08-12
申请公布号 CN104835880A 申请公布日 2015-08-12
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郑分刚;古寿林;吴星波 申请（专利权）人 常熟苏大低碳应用技术研究院有限公司
代理机构 南京知识律师事务所 代理人 汪旭东
地址 215500 江苏省苏州市常熟市东南经济开发区东南大道６８号１幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种Cr3+掺杂PZT薄膜在制备铁电薄膜太阳能电池中的应用，所述Cr3+掺杂PZT薄膜中，Cr3+的摩尔百分比为2%～10%，从下到上依次包括玻璃、ITO导电层、Cr3+掺杂PZT薄膜层、ITO导电层；所述Cr3+掺杂PZT薄膜层设于ITO导电层之间。本发明首次在PZT薄膜层引入摩尔百分比为2%～10%的Cr3+掺杂离子，构成了Cr3+掺杂PZT薄膜；在较低的退火温度下，得到了具有较高剩余极化的铁电薄膜；相比普通的PZT/ITO结构的铁电薄膜太阳能电池，本发明的剩余极化提高了2-3倍，光电转换效率提高了6倍，取得了较好的效果。