静态随机存取存储器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810086149.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108109966B | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN108109966B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L21/8244（2006.01）I;H01L27/11（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 北村阳介;大石周;黄晓橹 | 申请（专利权）人 | 德淮半导体有限公司 |
| 代理机构 | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马景辉 |
| 地址 | 223300江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。 |
