图像传感器的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910721462.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110379828B | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN110379828B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L27/146 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阿久津良宏 | 申请（专利权）人 | 德淮半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区；在所述隔离区内形成沟槽，所述沟槽内具有隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述衬底第二面表面；在所述隔离结构表面以及所述衬底第二面表面形成栅格材料层，位于所述隔离区表面和隔离结构表面的部分栅格材料层内具有第一凹槽；在所述第一凹槽内形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述栅格材料层，在所述隔离区第二面表面形成栅格结构。所述图像传感器的性能得到提升。 |
