半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910291073.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110021603B | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN110021603B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L27/11517;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11578 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王贤超;徐杨 | 申请（专利权）人 | 德淮半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，且所述若干层复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；刻蚀第一开口四周的第二材料层，分别在各个所述第二材料层内形成第一凹槽；在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。所述方法工艺步骤简单，节省了制备成本。 |
