半导体结构和半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910633202.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110429059B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN110429059B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L27/02;H01L23/535 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 北村陽介 | 申请（专利权）人 | 德淮半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在半导体衬底以及第一栅极结构和第二栅极结构的表面形成第一介电层；在第一介电层的表面形成第一层间介质层；在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一开口，第一开口暴露所述第一介电层；在第一层间介质层的表面沉积第二层间介质层，其中，第二层间介质层填充第一开口的开口端的一部分；刻蚀第二层间介质层以形成第二开口，第二开口暴露第一开口；以及在第一开口和第二开口内填充金属材料以形成第一导线层。本申请还公开了一种半导体结构。 |
