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图像传感器及其形成方法

基本信息

申请号 CN201910330123.4 申请日 -
公开（公告）号 CN110034145B 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN110034145B 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L27/146 分类 基本电气元件;
发明人 刘斌武;吕相南 申请（专利权）人 德淮半导体有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
法律状态 -

摘要

摘要 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：基底，所述基底包括中间区和包围所述中间区的外围区，所述中间区包括若干相互分立的第一像素区、以及位于相邻第一像素区之间的第一隔离区，所述外围区包括若干相互分立的第二像素区、以及位于相邻第二像素区之间的第二隔离区，若干所述第一像素区沿第一方向排列，且若干所述第二像素区沿第一方向排列；位于所述基底第一隔离区内的第一隔离结构，在所述第一方向上，所述第一隔离结构具有第一尺寸；位于所述基底第二隔离区内的第二隔离结构，在所述第一方向上，所述第二隔离结构具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。所述图像传感器的成像质量较好。