图像传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910143681.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109904183B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN109904183B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L27/146 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王阳阳;夏春秋;汤茂亮;刘少东 | 申请（专利权）人 | 德淮半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛异荣;吴敏 |
| 地址 | 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；位于所述溢出栅极结构的第一侧半导体衬底中的溢出漏区，所述溢出漏区适于电学连接电源线；二极管掺杂层，所述二极管掺杂层位于溢出栅极结构的第二侧半导体衬底中；位于所述溢出栅极结构底部半导体衬底中的附加浮空扩散区，所述附加浮空扩散区与二极管掺杂层相互分立且和溢出漏区相互分立。所述图像传感器的性能得到提高。 |
