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相位对焦图像传感器及其形成方法

基本信息

申请号 CN201910492820.X 申请日 -
公开（公告）号 CN110164897B 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN110164897B 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L27/146 分类 基本电气元件;
发明人 林永璨;内藤逹也 申请（专利权）人 德淮半导体有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
法律状态 -

摘要

摘要 一种相位对焦图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括图像捕获区和相位对焦区，所述半导体衬底图像捕获区内具有第一感光层，所述半导体衬底相位对焦区内具有第二感光层；位于半导体衬底图像捕获区表面的第一抗反射结构；位于半导体衬底相位对焦区表面的第二抗反射结构，第二抗反射结构的反射率大于第一抗反射结构；位于第一抗反射结构表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过单色光；位于第二抗反射结构表面的第二滤光层，所述第二滤光层通过自然光。所述相位对焦图像传感器的性能得到提高。