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一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法

基本信息

申请号 CN201610487730.8 申请日 -
公开（公告）号 CN106115617B 公开（公告）日 2018-12-11
申请公布号 CN106115617B 申请公布日 2018-12-11
分类号 B82B3/00;B82Y40/00 分类 超微技术〔7〕;
发明人 袁立嘉 申请（专利权）人 中科随能科技（北京）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 北京随能科技有限公司
地址 100022 北京市朝阳区西大望路甲12号2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法，根据本发明的方法，提供一种聚合物，所述聚合物具有相应的表面；在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层，通过所述沉积形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区，以及未被所述金属层覆盖的暴露区；对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻，使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻，而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻，由此形成聚合物的纳米柱阵列。本发明的实现了一种聚合物纳米阵列高度可控，又能够快速成型、适用性广、成本较低且大面积的制备垂直纳米线阵列的方法。