外延碳化硅单晶基板的制造方法及根据该方法得到的外延碳化硅单晶基板
基本信息
| 申请号 | CN201180016856.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102822396B | 公开（公告）日 | 2016-06-01 |
| 申请公布号 | CN102822396B | 申请公布日 | 2016-06-01 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 蓝乡崇;柘植弘志;星野泰三;藤本辰雄;胜野正和;中林正史;矢代弘克 | 申请（专利权）人 | 新日本制铁株式会社 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 新日铁住金株式会社;昭和电工株式会社 |
| 地址 | 日本东京 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及外延碳化硅单晶基板的制造方法，其根据化学气相沉积法使碳化硅膜在碳化硅单晶基板上外延生长。该方法的结晶生长工序中包括伴有温度切换操作的结晶生长副工序，该温度切换操作使生长温度在相对于占外延生长主要时间的结晶生长主工序的生长温度T1低的设定温度T0与高的设定温度T2之间上下地变化。抑制碳化硅单晶基板中所包含的基底面位错延续到外延膜中，形成高品质的外延膜。 |
