一种可控硅整流器的静电放电保护装置
基本信息
| 申请号 | CN201910899074.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110649015A | 公开（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申请公布号 | CN110649015A | 申请公布日 | 2020-01-03 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董文静 | 申请（专利权）人 | 徐州启祥电气有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 221300 江苏省徐州市邳州市岔河镇工业园区紫荆路69号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可控硅整流器的静电放电保护装置，可控硅整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区域。可控硅整流器还包括位于半导体衬底中的与第一n型区域相邻的第一p型区域。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一n型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一p型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括具有比第一p型区域更高的电阻率的阻挡区域。阻挡区域位于第一p型区域的n型接触区域和p型接触区域之间用于减小可控硅的触发电压整流器。 |
