一种MOSFET并联电路布局
基本信息
申请号 | CN201310326544.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103582408A | 公开(公告)日 | 2014-02-12 |
申请公布号 | CN103582408A | 申请公布日 | 2014-02-12 |
分类号 | H05K13/04(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 刘杰;佟炳然 | 申请(专利权)人 | 安徽华盈汽车技术有限公司 |
代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘杰;佟炳然;安徽华盈汽车技术有限公司 |
地址 | 102208 北京市昌平区回龙观镇龙锦苑六区24号楼3单元202 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种MOSFET并联电路布局,具体的说是一种基于单层铝基板的功率MOSFET三相并联电路,主要用于电机驱动系统,这种电路基于单层铝基板的三相MOSFET并联电路,包括:在单层铝基板上,由下至上分成3个区域,分别是U、V、W相区域,每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成,整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组,每一排模组中包括n个MOSFET。本发明这种电路布局是在传统铝基板上,通过专门设计的电路布局,可以以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热均衡性。 |
