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一种MOSFET并联电路布局

基本信息

申请号 CN201310326544.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103582408B 公开（公告）日 2017-05-17
申请公布号 CN103582408B 申请公布日 2017-05-17
分类号 H05K13/04(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 刘杰;佟炳然 申请（专利权）人 安徽华盈汽车技术有限公司
代理机构 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 代理人 天津中科华盈科技有限公司;安徽华盈汽车技术有限公司
地址 300304 天津市东丽区华明高新科技产业区华丰路6号F座2-3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种MOSFET并联电路布局，具体的说是一种基于单层铝基板的功率MOSFET三相并联电路，主要用于电机驱动系统，这种电路基于单层铝基板的三相MOSFET并联电路，包括：在单层铝基板上，由下至上分成3个区域，分别是U、V、W相区域，每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成，整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组，每一排模组中包括n个MOSFET。本发明这种电路布局是在传统铝基板上，通过专门设计的电路布局，可以以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热均衡性。