制备钙钛矿膜层的系统和方法及其应用

基本信息

申请号 CN202110738058.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113471367A 公开(公告)日 2021-10-01
申请公布号 CN113471367A 申请公布日 2021-10-01
分类号 H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李明洁;王雪戈;吴俊杰;邵君;于振瑞 申请(专利权)人 极电光能有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 孙立波
地址 214101江苏省无锡市锡山经济开发区东部园区大成路1098
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了制备钙钛矿膜层的系统和方法及其应用,所述系统包括:近空间升华设备、气相输送设备和基片退火设备,其中,所述近空间升华设备包括第一准备腔室、近空间升华腔室和第一出片腔室;所述气相输送设备包括第二准备腔室、气相反应腔室、第二出片腔室和气相输送腔室。采用该系统制备钙钛矿膜层不依赖基底的平整度,可在绒面基底上或具有较大粗糙度的基底上制备大面积均匀的钙钛矿膜层,同时采用该系统可以同时掺杂有机成分和无机成分,并且可以实现各组分含量的精确掺杂,钙钛矿膜层的晶体纯度高且形貌可控,从而显著提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和电性能。