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高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺

基本信息

申请号 2016111839688 申请日 -
公开（公告）号 CN106783576B 公开（公告）日 2017-05-31
申请公布号 CN106783576B 申请公布日 2017-05-31
分类号 H01L21/306(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 苏舟;徐敏丽;高广亮;刘帅;陈浩 申请（专利权）人 锦州辽晶电子科技有限公司
代理机构 锦州辽西专利事务所（普通合伙） 代理人 李辉
地址 121000辽宁省锦州市古塔区人民街五段10号
法律状态 -

摘要

摘要 一种高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺，其步骤如下：在表面具有氧化层的硅片表面进行一次腐蚀，一次腐蚀深度为75～85μm；经一次腐蚀V型槽的硅片，经过光刻掩膜，再对一次腐蚀V型槽进行二次腐蚀，二次腐蚀深度为7～10μm，且二次腐蚀台面宽度大于一次腐蚀台面宽度；两次台面腐蚀结束之后，进行玻璃钝化。经过二次腐蚀台面，去除了因硅与二氧化硅腐蚀速率不同而在硅片接近表面处造成的小角度台阶,槽内填充玻璃粉熔凝钝化工艺在硅片表面与V型槽台面衔接处形成物理缓冲区，加大玻璃粉与腐蚀台面的接触面积，增加接触能力，提高介电强度，减小表面漏电，从而保证了高耐压半导体分立器件芯片优良的高温、高压性能和高可靠性。