首页/ 南京国科半导体有限公司/ 专利详情

微透镜阵列耦合反射层结构制备方法

基本信息

申请号 CN202110781608.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113484941A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113484941A 申请公布日 2021-10-08
分类号 G02B3/00（2006.01）I 分类 光学;
发明人 李叔伦;牛智川;倪海桥;尚向军;刘冰;朱小贵;何胜 申请（专利权）人 南京国科半导体有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 任岩
地址 100083北京市海淀区清华东路甲35号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。